◎ 晶圆规格：4、6、8、12英寸晶圆

◎ 自动化可定制：根据需求可定制手动、半自动、全自动设备

◎ 沉积速率：Ni＞180nm/min，Pd＞30nm/min，Au＞4nm/min

◎ 膜厚均匀性：Ni＜10%，Pd＜10%，Au＜10%

◎ 破片率：＜10ppm

◎ 设备可兼容的晶圆尺寸：全自动模式下可处理翘曲片≤5mm, 产品厚度200—1500um

◎ 设备稳定性：UP time：≥95%，MTTR：≤4hours，MTBF：≥250hours

◎ 符合规范：符合半导体SEMI S2标准，符合SECS/GES协议，报警信息、生产记录、事件记录均可查询