◎ 晶圆规格：适用于4寸、6寸、8寸和12寸等不同晶圆尺寸

◎ 自动化可定制：可配至2-28个不等电镀腔体

◎ 电镀金属：Cu、Ni、SnAg、Sn、Au等

◎ 片内均一性：＜5%，片间均一性：＜3%

◎ 2.5D/3D TSV 高深宽比电镀：填孔填充率：100%，填充速率：1.0-2.0um/min，深宽比兼容：1:5—1:20

◎ 晶圆翘曲处理能力：＜3 mm

◎ Wafer破片率：＜10ppm

◎ 高速电镀实现更好的均匀化控制

◎ 水平式电镀腔体，无交叉污染

◎ 可单腔体维护，提高设备正常运行时间（up time）

◎ Rubber Seal 技术，更好的密封性能

◎ 灵活的工序控制